Transphorm Inc. – der Marktführer bei der Entwicklung und Herstellung der ersten und zuverlässigsten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650-V-Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter – hat bekanntgegeben, dass das Unternehmen mehr als 500.000 Hochspannungs-GaN-FETs ausgeliefert hat. Das Unternehmen konnte diesen Meilenstein erreichen, weil die Kunden seine hochwertige, äußerst zuverlässige GaN-Plattform weiterhin übernehmen.
Nutzung von Hochspannungs-GaN
Kunden der weiter gefassten Märkte Industrie, Infrastruktur und IT sowie PC-Spiele haben in Produktion befindliche Geräte öffentlich angekündigt, die mit der GaN-Technologie von Transphorm gebaut werden. Sie stehen für das zunehmende Vertrauen in GaN-Lösungen, die laut Prognosen zu einem attraktiven Markt werden.
Tatsächlich prognostiziert die Branchenanalysefirma IHS Markit Technology, die jetzt zu Informa Tech gehört, dass die Gesamtumsätze mit spannungsdiskreten und modularen IC sowie System-ICs mit GaN bis zum Jahr 2028 1,2 Milliarden USD ausmachen werden. Ungefähr 750 Millionen USD dieser Umsätze (fast zwei Drittel des gesamten Marktes) werden von Hochspannungs-GaN-Lösungen bestimmt sein.1
„Zu einem Zeitpunkt, als die Branche Single-Chip-Normally-Off-Silicium-MOSFETs besser kannte, haben wir das stabilere Two-Chip-Normally-Off-Gerät auf den Markt gebracht“, sagte Primit Parikh, Mitgründer und COO von Transphorm. „Wie unsere öffentliche Dynamik und ebenfalls die anderer angesehener Hersteller wie Power Integrations im Bereich Verbraucheradapter gezeigt haben, ist die Two-Chip-Normally-Off-GaN-Lösung das praktischste Hochspannungs-GaN-FET-Design, das es derzeit gibt. Tatsächlich kann das GaN von Transphorm genau aufgrund dieses Designs Hochleistung mit großer Stabilität liefern. So liegen bisher Daten zur Zuverlässigkeit bei der praktischen Anwendung während mehr als 5 Milliarden Stunden (mit <2 FIT) vor.“
Die erfolgreiche Übernahme von Transphorm ist weiterhin vor allem auf die Qualität und Zuverlässigkeit (Quality and Reliability, Q+R) der Produkte des Unternehmens zurückzuführen. Hinter dieser Q+R stehen die stabile Normally-Off-GaN-Plattform des Unternehmens, die starke Kontrolle seiner Epitaxieprozesse und seine Fertigungskapazitäten. Mit letzteren ist Transphorm gut aufgestellt, um die Mengen- und Qualitätsanforderungen verschiedener branchenübergreifender Märkte von Verbraucheradaptern bis hin zu Autos zu erfüllen. Zusammen ermöglichen es diese Elemente dem Unternehmen, GaN-FETs zu produzieren, die unübertroffene Zuverlässigkeit, Gestaltbarkeit, Fahrbarkeit und Reproduzierbarkeit bieten.
„Nach unserem Erfolg auf den zentralen Märkten für stärkere Leistung, für die GaN eine Rolle spielt, arbeiten wir auch mit Kunden auf schnell wachsenden Märkten zusammen, die mit Silicium unterversorgt sind, etwa Verbraucheradapter und Set-Top-Boxen“, sagte Philip Zuk, VP für Worldwide Technical Marketing und North American Sales bei Transphorm. „Denken Sie daran, dass die Mehrzahl der bisher von uns ausgelieferten Produkte für Anwendungen mit höherer Leistung gedacht waren. Diese über 500.000 650V-FETs ergeben mehr als 4 Millionen FETs mit geringerer Leistung (unter 100 Watt). Das beweist unsere Kapazitäten zur Produktion bestimmter Mengen.“
Zuverlässigkeit in der Praxis
Vor einem Jahr brachte Transphorm den ersten vollständigen Satz Validierungsdaten für Hochspannungs-GaN-Leistungshalbleiter auf den Markt. Heute veröffentlichte das Unternehmen offiziell die neuesten Daten zur Zuverlässigkeit in der Praxis. Mit mehr als 5 Milliarden Stunden Praxis hat die GaN-Technologie von Transphorm derzeit eine Fit-Rate von <2,0 bei <19,8 PPM im Jahr. Weitere Informationen zur Qualität und Zuverlässigkeit der Geräte finden Sie auf der Q+R-Website des Unternehmens.
Willkommen bei der GaN-Revolution!
Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Transphorm verfügt über das größte IP-Portfolio (mehr als 1.000 erteilte und angemeldete Patente weltweit) und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Gestaltung, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Website: www.transphormusa.com Twitter: @transphormusa
1 SiC & GaN Power Semiconductors Report, IHS Markit, Mai 2019
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