Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsfähigen Energieumwandlungsprodukten auf Basis von Galliumnitrid (GaN) – gab heute bekannt, dass seine Vorführung auf der PCIM 2023 die zunehmende Präsenz des Unternehmens bei Marktanwendungen deutlich macht, die das Leistungsspektrum überspannen. Die präsentierten Bauelemente zeigen, dass Transphorm in der Lage ist, Systeme mit niedriger bis hoher Leistung mit GaN-Leistungswandler-Lösungen zu unterstützen, wobei die Lösungen durch ihre beispiellose Herstellbarkeit, Designbarkeit, Steuerbarkeit und Zuverlässigkeit bestechen. Messebesucher können Transphorm während der Veranstaltung, die vom 9. bis 11. Mai abgehalten wird, in Halle 7 an Stand 108 finden.
Senkung der Stücklistenkosten
Das WT7162RHUG24A, das jüngst bekannt gegebene, zusammen mit Weltrend Semiconductor entwickelte SuperGaN®-SiP, wird nach seinem Debüt auf der APEC 2023 erneut zu sehen sein. Präsentiert wird es gemeinsam mit dem hocheffizienten, einstufigen 65 W USB-C PD 3.0 + PPS-Netzteil-Referenzdesign von Weltrend mit dem neuen integrierten Schaltkreis. Mit einem höchsten Gesamtwirkungsgrad von ~ 94,0 % und einer Leistungsdichte von 26 W/in3 stellt das Board eine kostengünstige Gesamtlösung für programmierbare Netzteile dar. SiP-Muster können unter sales@weltrend.com.tw angefordert werden.
Demonstration von Steigerungen der Systemleistung
Das Bauelement-Portfolio von Transphorm bietet eine Vielzahl von Optionen für Ingenieure, die eine beispiellose Energieumwandlungsleistung benötigen. Die Geräte sind in Performance-Paketen oder, falls ein Austausch gewünscht wird, in Pin-to-Pin-kompatiblen Industriestandard-Paketen erhältlich. Eine statische Demonstration vor Ort zeigt, wie der Austausch von TSMC e-mode-Bauelementen durch Transphorm FETs in einem gegenwärtig erhältlichen Gaming-Laptop-Ladegerät die Leistung des Systems erheblich verbessern konnte.
Vereinfachung der GaN-Nutzung in 3-kW-Umrichtersystemen
Der jüngst bekannt gegebene TDINV3000W050B-KIT, eine 3,0-kW-DC-to-AC-Vollbrückenwechselrichter-Evaluierungsplatine ohne Isolierung, wird zum ersten Mal ausgestellt. Er verbindet den SuperGaN-FET TP65H050G4WS von Transphorm mit dem digitalen Signalcontroller (DSC) dsPIC33CK von Microchip Technology. Das DSC-Board ist mit vorprogrammierter Firmware versehen, die ein besseres Verständnis und eine schnellere Entwicklung von SuperGaN-Lösungen in breiten industriellen und erneuerbaren Energiesystemen ermöglicht.
Diversifizierung der GaN-Lösungen für die Automobilindustrie
Dank seines Technologie-Know-hows ist Transphorm in der Lage, branchenweit die wichtigsten Maßstäbe für GaN-Leistungswandlerlösungen für die Automobilindustrie zu setzen. Transphorm war der erste Anbieter, der ein nach AEC-Q101 qualifiziertes 650-V-Bauelement auf den Markt brachte. Er ist auch der einzige Hersteller von GaN-Bauelementen, der ein AEC-Q101-Bauelement herausgebracht hat, das bis 175°C qualifiziert ist. Auf der PCIM erreicht Transphorm erneut einen wichtigen Meilenstein, nämlich die Präsentation von Design-Ressourcen für das vor einem Jahr erstmals vorgestellte 1200-V-GaN-Bauelement. Dieses Bauelement ergänzt die bereits vorhandenen starken 650-V-Lösungen des Unternehmens für verschiedene Elektrofahrzeuganwendungen.
Redebeitrag
Mehr darüber, wie sich die GaN-Plattform von Transphorm auf Leistungssysteme aller Leistungsstufen auswirkt, erfahren Sie in der Bodo’s Power Systems Session.
Podiumsdiskussion: Wide Bandgap Design mit GaN HEMT und vertikalem GaN
Redner: Philip Zuk, Senior Vice President, Business Development and Marketing
Datum: 10. Mai
Uhrzeit: 13.05 Uhr MESZ
Ort: Industry Stage, Halle 7, Stand 480
Eine Kernplattform für das gesamte Leistungsspektrum
Transphorm ist das führende Unternehmen für GaN-Leistungshalbleiter, das sich durch die folgende Kennzeichen seiner Technologie vom Wettbewerb abhebt:
Herstellbarkeit: Vertikale Integration mit eigenem EPI-Design, Wafer-Prozess und FET Die-Design.
Designbarkeit: Angebot von bekannten Industriestandard- und Leistungspaketen und Zusammenarbeit mit renommierten globalen Technologieführern, um die Entwicklung von Systemen zu erleichtern und zu beschleunigen.
Steuerbarkeit: Angebot von Bauelementen, die wie Halbleiter gesteuert werden und sich mit handelsüblichen Controllern und Treibern kombinieren lassen, wobei nur minimale externe Schaltungen erforderlich sind.
Zuverlässigkeit: Nach wie vor branchenführend mit einer aktuellen FIT-Rate von <0,05 bei mehr als 125 Milliarden Betriebsstunden in Anwendungen mit niedriger bis hoher Leistung.
Treffen Sie uns
Um einen Termin mit Transphorm während der Messe zu vereinbaren, wenden Sie sich bitte an vipin.bothra@transphormusa.com.
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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