TOLL-FETs von Transphorm machen GaN zu optimalen Bauteilen für stromhungrige KI-Anwendungen

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweiter Marktführer im Bereich robuster GaN-Leistungshalbleiter, der Zukunft der nächsten Generation von Stromversorgungssystemen, stellte heute drei SuperGaN®-FETs in TOLL-Paketen mit On-Widerständen von 35, 50 bzw. 72 Milliohm vor. Die TOLL-Paketkonfiguration von Transphorm entspricht dem Branchenstandard, was bedeutet, dass die SuperGaN-TOLL-FETs als Austauschteile einer jeden E-Modus-TOLL-Lösung eingesetzt werden können. Die neuen Bauteile bieten zudem auch die bewährte Hochspannungsdynamik (Schaltung) mit On-Widerstand-Zuverlässigkeit, die bei führenden fertigungsbasierten E-Modus-GaN-Modellen im Allgemeinen fehlt. Für ein Muster dieser Bauteile besuchen Sie bitte die Produktseite von Transphorm: https://www.transphormusa.com/en/products/.

Die drei SMD-Bauteile (für Oberflächenmontage) unterstützen Hochleistunganwendungen mit einem durchschnittlichen Betriebsbereich von 1 bis 3 Kilowatt. Diese Stromsysteme kommen im typischen Fall in anspruchsvollen Marktsegmenten wie Computing (KI, Server, Telekommunikation, Rechenzentren), bei Energie und Industrie (PV-Wechselrichter, Servomotoren) und anderen breiten Industriemärkten zum Einsatz, die zusammen einen globalen GaN-TAM (adressierbaren Gesamtmarkt) von 2,5 Milliarden USD aufweisen. Insbesondere sind FETs optimale Lösungen für die heutigen, rapide aufstrebenden KI-Systeme, die sich auf GPUs verlassen, die 10 bis 15 Mal mehr Strom benötigen, als herkömmliche CPUs.

Die leistungsstarken GaN-Bauteile von Transphorm werden bereits in großem Umfang an führende Kunden geliefert, die sie zu Versorgung leistungsstarker Systeme einsetzen, darunter Stromversorgung von Rechenzentren, leistungsstarke Gaming-PSUs, UPSes und Mikro-Inverter. Diese Anwendungen können ebenso wie Elektrofahrzeug-basierte Gleichspannungswandler und Bordaufladegeräte, auch von den TOLL-Bauteilen unterstützt werden, wobei die zugrundeliegende SuperGaN-Matrize bereits für Automobilanwendungen qualifiziert ist (AEC-Q101).

Die SuperGaN-TOLL-FETs sind das sechste von Transphorm angebotene Paket dieser Art, was den Kunden eine breite Auswahl bietet, um ihre einzigartigen Designansprüche zu erfüllen. Wie alle Transphorm-Produkte nutzen die TOLL-Bauteile die inhärenten Leistungs- und Zuverlässigkeitsvorteile, die durch die SuperGaN-Plattform mit Normal-Off-D-Modus ermöglicht werden. Eine ausführliche Vergleichsanalyse von SuperGaN und E-Modus-GaN erhalten Sie zum Herunterladen in dem jüngsten Whitepaper des Unternehmens mit dem Titel The Fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration. Die Schlussfolgerungen der Verfasser des Whitepapers stehen im Einklang mit einem vor einigen Monaten erschienenen Direktvergleich, dem zu entnehmen ist, dass die 72-Milliohm-SuperGaN-FETs den größeren 50-Milliohm-E-Modus-Bauteilen in einem im Handel erhältlichen Gaming-Laptop-Aufladegerät mit 280 W überlegen waren.

SuperGaN-Bauteile sind marktführend mit folgenden unerreichten Vorteilen:

• Zuverlässigkeit von < 0,03 FIT

• Gate-Sicherheitsmarge von ± 20 V

• Störfestigkeit von 4 V

• Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) um 20 % niedriger als E-Modus

• Treiberflexibilität mit Standardtreibern und Schutzschaltungen, die in siliziumbasierten Controllern/Treibern problemlos verfügbar sind

Technische Daten

Die robusten 650 V SuperGaN-TOLL-Bauteile sind JEDEC-qualifiziert. Da die Normal-Off-D-Modus-Plattform den GaN-HEMT mit einem Niederspannungssilizium-MOSFET koppelt, sind die SuperGaN-FETs problemlos mit handelsüblichen Gate-Treibern zu verwenden. Sie können in diversen Hart- und Weichschalter-, AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Topologien zum Einsatz kommen, um die Stromdichte zu steigern und gleichzeitig Größe, Gewicht und Gesamtkosten des Systems zu reduzieren.

Verfügbarkeit und unterstützende Ressourcen

Die SuperGaN-TOLL-Bauteile sind derzeit als Muster verfügbar. Um ein Muster anzufordern, besuchen Sie bitte https://www.transphormusa.com/en/products/.

Wichtige Anmerkungen zur Optimierung der Entwicklung TOLL-basierter Systeme:

• AN0009: Empfohlener externer Schaltkreis für Transphorm GaN-FETs

• AN0003: Leiterplattenlayout und Sondierung für GaN-Stromschalterlayout

• AN0014: Kostengünstiger, hochdichter Hochspannungs-Siliziumtreiber für GaN-FET-Anwendungen mit niedrigem bis mittlerem Strombedarf

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

SuperGaN ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen genannten Marken sind das Eigentum der jeweiligen Inhaber.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20231010907620/de/