Samsung Electronics, ein weltweit führender Anbieter innovativer Halbleitertechnologie, stellt auf dem jährlichen Samsung Foundry Forum (SFF) Europe fortschrittliche und umfassende Prozesslösungen für die Automobilindustrie vor, die vom fortschrittlichsten 2-Nanometer- bis hin zu 8-Zoll-Legacy-Prozessen reichen.
Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20231019209016/de/
Samsung Electronics stellt beim Foundry Forum EU 2023 seine neue Automotive-Prozessstrategie vor (Photo: Business Wire)
Zusammen mit seinen Kunden und Partnern des Samsung Advanced Foundry Ecosystems (SAFE) präsentierte Samsung Electronics die neuesten technologischen Trends und seine auf den europäischen Markt zugeschnittene Geschäftsstrategie.
„Samsung Foundry treibt innovative Lösungen der nächsten Generation voran, um ein erweitertes Portfolio aufzubauen, das den wachsenden Anforderungen unserer Kunden aus der Automobilbranche gerecht wird, insbesondere da jetzt das Zeitalter der Elektrofahrzeuge anbricht“, sagte Dr. Siyoung Choi, Präsident und Leiter des Foundry Business bei Samsung Electronics. „Wir verstärken unsere Bereitschaft, unseren Kunden einen ausgezeichneten Service für eine Vielzahl von Lösungen zu bieten, die von Leistungshalbleitern über MCUs bis hin zu fortschrittlichen KI-Chips für das autonome Fahren reichen.“
Seit der ersten Teilnahme an der IAA Mobility 2023 im September verstärkt Samsung Electronics sein Engagement und seine Partnerschaften bei Spezialprozessen für Automobilkunden auf dem europäischen Markt und festigt seine Präsenz als führender Foundry-Partner.
Branchenweit fortschrittlichste eMRAM-Lösung für wegweisende Anwendungen
Um den Anforderungen der neuesten Innovationen auf dem Automobilmarkt gerecht zu werden, wird Samsung die branchenweit erste 5-Nanometer-eMRAM-Lösung für die Automobiltechnologie der Zukunft entwickeln. eMRAM ist ein Speicher der nächsten Generation, der für Automobilanwendungen verwendet wird, um eine hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeit sowie eine hervorragende Wärmebeständigkeit zu ermöglichen.
Seit der Entwicklung und Massenproduktion des weltweit ersten 28nm FD-SOI1-basierten eMRAM im Jahr 2019, treibt Samsung Electronics die Entwicklung basierend auf 14nm FinFET für AEC-Q100 Grade 1 Anwendungen voran. Samsung Foundry plant, das Portfolio bis 2024 um 14nm, bis 2026 um 8nm und bis 2027 um 5nm zu erweitern.
Die 8nm eMRAM-Lösung von Samsung weist eine um 30 Prozent höhere Dichte und eine um 33 Prozent höhere Geschwindigkeit im Vergleich zur vorherigen 14nm-Technologie auf.
Automotive-Prozesslösungen von innovativ bis legacy
Das Unternehmen kündigte seine Roadmap für fortgeschrittene Prozesse an und hob seine Pläne hervor, die Fähigkeit zur Massenproduktion seines 2-nm-Prozesses für Automobilanwendungen bis 2026 abzuschließen. Samsung Electronics stärkt außerdem seine Bereitschaft, die Bedürfnisse seiner Kunden zu erfüllen, indem es sein 8-Zoll-BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)-Prozessportfolio erweitert.
Der BCD-Prozess kombiniert die Stärken von drei verschiedenen Prozesstechnologien: Bipolar (B), CMOS (C) und DMOS (D) auf einem Chip und wird am häufigsten bei der Herstellung von Leistungshalbleitern eingesetzt. Samsung Electronics plant, sein derzeitiges 130nm-BCD-Portfolio für Kraftfahrzeuge bis 2025 um 90nm zu erweitern. Beim 90nm-BCD-Prozess wird eine Verringerung der Chipfläche um 20 Prozent im Vergleich zum 130nm-Prozess erwartet.
Durch die Implementierung der Deep Trench Isolation (DTI)-Technologie, bei der der Abstand zwischen den einzelnen Transistoren verringert wird, was zu einer höheren Leistungsdichte führt, wird Samsung Foundry in der Lage sein, dank der höheren Spannungen von bis zu 120V anstelle von nur 70V, die breite Palette von möglichen Anwendungen zu erweitern. Dies ermöglicht es dem Unternehmen, bis 2025 ein Prozessentwicklungskit (PDK) bereitzustellen, das den 130nm-BCD-Prozess bis 120V befähigt.
„Beyond-Moore“-Innovation durch fortschrittliche Packaging-Allianz
Samsung hat die Gründung der „Multi-Die Integration (MDI) Alliance“ in Zusammenarbeit mit seinen SAFE-Partnern sowie wichtigen Akteuren in den Bereichen Speicher, Gehäusesubstrat und Tests abgeschlossen.
Als Teil einer branchenweiten Partnerschaft von 20 Partnern ist Samsung führend in der Entwicklung von 2,5D- und 3D-Gehäuselösungen, die für alle Anwendungen von der Automobilindustrie bis zum Hochleistungscomputer (HPC) maßgeschneidert sind.
Das jährlich weltweit organisierte Samsung Foundry Forum fand 2023 vom 27. bis 28. Juni in den Vereinigten Staaten, am 4. Juli in Südkorea und am 17. Oktober in Japan statt. Die Inhalte des Forums sind ab dem 2. November auf der Website von Samsung Semiconductor für Besucher aus aller Welt verfügbar.
Über Samsung Electronics
Samsung Electronics Co., Ltd. inspiriert Menschen und gestaltet die Zukunft mit Ideen und Technologien, die unser Leben verbessern. Das Unternehmen verändert die Welt von Fernsehern, Smartphones, Wearables, Tablets, Haushaltsgeräten, Netzwerk-Systemen, Speicher-, Halbleiter- und LED-Produkten.
Weitere Informationen finden Sie auf Samsung.com unter www.samsung.com/de/aboutsamsung.
1 Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI) ist eine planare Prozesstechnologie, bei der eine undurchlässige Isolierschicht (SiO2) auf einen Siliziumwafer aufgebracht wird, worauf wiederum Transistoren gebaut werden, um Leckagen zu minimieren.
Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20231019209016/de/