Ein Plan von ROHM Co., Ltd. (“ROHM”) und der Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba Electronic Devices & Storage”) zur Kooperation bei der Herstellung von Leistungshalbleitern und zur Erhöhung des Produktionsvolumens wurde jetzt vom japanischen Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie (MITI) als Beitrag zu dem von der japanischen Regierung angestrebten Ziel einer sicheren und stabilen Versorgung mit Halbleitern anerkannt und wird vom MITI gefördert. ROHM und Toshiba Electronic Devices & Storage werden jeweils erhebliche Investitionen in Siliziumkarbid- (SiC-) und Silizium- (Si-) Leistungsbauelemente tätigen, ihre Lieferkapazitäten deutlich steigern und die Produktionskapazitäten der jeweils anderen Partei ergänzend nutzen.
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Leistungshalbleiter sind unverzichtbare Komponenten für Stromversorgungen und deren Management in elektronischen Geräten aller Art und damit letztlich für das Erreichen einer kohlenstofffreien, kohlenstoffneutralen Gesellschaft. Die derzeitige Nachfrage dürfte weiter zunehmen. In Automobilanwendungen ist die Entwicklung von kompakteren und leichteren elektrischen Antriebssträngen mit höherem Wirkungsgrad parallel zur schnellen Elektrifizierung von Fahrzeugen bereits weit fortgeschritten. In Industrieanwendungen sind eine stabile Versorgung mit Leistungshalbleitern und verbesserte Eigenschaften dieser Bauelemente wichtige Voraussetzungen für eine zunehmende Automatisierung und erhöhte Wirkungsgradanforderungen.
Vor diesem Hintergrund hat ROHM eine Management-Vision formuliert: “Wir konzentrieren uns auf Leistungs- und Analoglösungen und lösen gesellschaftliche Probleme dadurch, dass wir einen Beitrag zu den Anforderungen unserer Kunden in Bezug auf Energieeinsparungen und die Miniaturisierung ihrer Produkte leisten.” Das Unternehmen intensiviert seine Bemühungen um eine kohlenstofffreie Zukunft. Seit der weltweit ersten Massenproduktion von SiC-MOSFETs hat ROHM laufend neue, branchenführende Technologien entwickelt. Dazu gehören die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM, die in zahlreichen Elektrofahrzeugen und Industrieanlagen zur Anwendung kommen werden. Eines der von ROHM priorisierten Projekte ist der SiC-Geschäftsbereich, in den aggressiv und kontinuierlich investiert wird, um die Produktionskapazität von SiC-Bauelementen zu erhöhen und die stark wachsende Nachfrage zu decken.
Die Toshiba Group hat sich mit ihrer langjährigen grundlegenden Selbstverpflichtung “Committed to People, Committed to the Future” das Ziel gesetzt, die Erreichung von Kohlenstoffneutralität und Kreislaufwirtschaft voranzubringen. Toshiba Electronic Devices & Storage liefert seit Jahrzehnten Silizium-Leistungsbauelemente, die hauptsächlich in Automobil- und Industrieanwendungen zum Einsatz kommen und zur Entwicklung von energiesparenden Lösungen sowie zur Miniaturisierung der Systeme beigetragen haben. Das Unternehmen hat im vergangenen Jahr mit der Produktion auf einer 300-mm-Waferlinie begonnen und beschleunigt derzeit seine Investitionen, um die Produktionskapazitäten zu erhöhen und der stark wachsenden Nachfrage gerecht zu werden. Außerdem treibt das Unternehmen die Entwicklung einer breiteren Palette von SiC-Leistungshalbleitern voran, insbesondere für Anwendungen in der Automobilbranche sowie in der Energieübertragung und -verteilung, wobei es auf das Know-how zurückgreifen kann, das es bei Anwendungen in Schienenfahrzeugen aufgebaut hat.
ROHM hat bereits angekündigt, sich an der Privatisierung von Toshiba zu beteiligen, wobei diese Investition allerdings nicht als Ausgangspunkt für eine Fertigungskooperation zwischen den beiden Unternehmen diente. In Anbetracht des ständig steigenden internationalen Wettbewerbsdrucks in der Halbleiterindustrie haben ROHM und Toshiba Electronic Devices & Storage schon seit geraumer Zeit eine Zusammenarbeit im Bereich der Leistungshalbleiter in Betracht gezogen, was schließlich zu dieser Kooperationsvereinbarung führte.
ROHM und Toshiba Electronic Devices & Storage werden bei der Herstellung von Leistungsbauelementen zusammenarbeiten, indem sie verstärkt in SiC- bzw. Si-Leistungshalbleiter investieren, um so die internationale Wettbewerbsfähigkeit beider Unternehmen zu stärken. Die Unternehmen werden sich zudem bemühen, einen Beitrag zur Stärkung der Resilienz der Halbleiter-Lieferketten in Japan zu leisten.
Übersicht über den Plan zur Verbesserung der Versorgung
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Unternehmensnamen |
ROHM Co., Ltd. und LAPIS Semiconductor Co., Ltd. |
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Gesamtes Investitionsvolumen |
388,3 Milliarden JPY: |
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Maximale Förderung |
129,4 Milliarden JPY: 1/3 des gesamten Investitionsvolumens |
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Produktionsstandorte |
LAPIS Semiconductor Miyazaki Werk Nr. 2: SiC-Leistungshalbleiter und SiC-Wafer, Kaga Toshiba: Si-Leistungshalbleiter |
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Umfang |
Erweiterte Produktionskapazität in Japan für SiC- und Si-Leistungsbauelemente sowie SiC-Wafer |
Über ROHM
ROHM wurde 1958 gegründet und bietet über sein globales Entwicklungs- und Vertriebsnetz integrierte Schaltungen und diskrete Halbleiter an, die sich durch hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit auszeichnen und auf zahlreichen Märkten wie dem Automobil-, Industrie- und Consumer-Markt eingesetzt werden.
Weitere Informationen zu ROHM finden Sie auf www.rohm.com
Über die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ein führender Anbieter von modernsten Halbleiter- und Speicherlösungen, kann sich auf mehr als ein halbes Jahrhundert Erfahrung und Innovation stützen, wenn es darum geht, Kunden und Geschäftspartnern hervorragende diskrete Halbleiter, System-LSIs und Festplattenprodukte anzubieten.
Mehr dazu unter https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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