Kyoto Semiconductor kündigt 14 Reflexionssensorprodukte mit nahem Infrarotlicht an

Kyoto Semiconductor Co., Ltd. (President und CEO: Yoshihisa Shinya, Hauptsitz: Shimotsuke-shi, Tochigi, Japan), führend bei optischen Gerätelösungen mit japanischer Qualitätsfertigung basierend auf Weltklasse-Technologie, hat 14 Produkte der auf SWIR^*1 basierenden Reflexionssensoren der „KPR-Serie“ angekündigt.

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SWIR type reflective sensor KPR series (Photo: Business Wire)

Entwicklungshintergrund

Die auf SWIR basierenden Reflexionssensoren der „KPR-Serie“ wurden entwickelt, um in einer großen Bandbreite an Anwendungen wie etwa in den Bereichen Medizin und Gesundheit, Analyse- und Messtechnik, Büroelektronikausstattung sowie der Erkennung verschiedener Materialien eingesetzt zu werden. Kyoto Semiconductor arbeitet mit einer Vielzahl von SWIR-LEDs (lichtemittierende Elemente) mit InGaAsP*^*2 und SWIR-Photodioden (lichtempfangende Elemente) mit InGaAs^*3. In der Vergangenheit wurden das lichtemittierende und das lichtempfangende Element einzeln gehandhabt, inzwischen haben wir jedoch ein neues Produkt entwickelt, das die lichtempfangenden und lichtempfangenden Elemente in einem einzigen kleinen Gehäuse vereint, um den wachsenden Marktanforderungen zu entsprechen.

Produktmerkmale

Die „KPR-Serie“ besteht aus einem in der inländischen Fabrik von Kyoto Semiconductor hergestellten LED-Chip und einem Fotodioden-Chip, die in einem kleinen Gehäuse nebeneinander angeordnet werden. Dieser Reflexionssensor nutzt die Reflexion von Licht, wenn das Produkt auf ein zu erfassendes Objekt gerichtet wird. Die KPR-Serie umfasst zwei Typen von Reflexionssensoren, den KPR-DS6 und den KPR-S6. Der Typ KPR-DS6 ist ein 3-Chip-Reflexionssensor mit Doppelwellenlänge, der mit zwei Wellenlängen-LEDs und einer Fotodiode bestückt ist. Der Typ KPR-S6 ist ein 2-Chip-Reflexionssensor mit Einzelwellenlänge, der mit einer LED und einer Fotodiode ausgestattet ist. Mit 10 Typen von Doppelwellenlängen-Reflexionssensoren und 4 Typen von Einzelwellenlängen-Reflexionssensoren haben wir insgesamt 14 Typen von Reflexionssensoren entwickelt, die für verschiedene Wellenlängen und Kombinationen erhältlich sind.

Gehäusegröße um 30% reduziert

Das kleine und dünne Gehäuse mit einer Länge von 4,2 mm x Breite von 2,0 mm x Höhe von 0,9 mm ist ein zum Patent angemeldetes oberflächenmontierbares Gehäuse, das reflektiertes nahes Infrarotlicht mit hoher Effizienz erkennt. Es wurde ursprünglich von Kyoto Semiconductor entwickelt und ist mit der Montage durch bleifreies Löten im Reflow-Verfahren kompatibel. Die Gehäusegröße ist 30 % kleiner als das bisherige Modell des Unternehmens. Durch die Verwendung eines kleinen und dünnen Gehäuses kann es in Handmessgeräte und tragbare Geräte eingebaut werden.

Verschiedene Wellenlängen und Kombinationen

Die Sensoren der KPR-Serie nutzen nahes Infrarotlicht mit einer Wellenlänge von 1300 bis 1650 nm. Da diese Lichter in einem Wellenlängenbereich liegen, der von Feuchtigkeit, verschiedenen Gasen, organischen Substanzen usw. absorbiert wird, ist es möglich, den Gehalt der Substanzen durch die Reflexion und Absorption des Lichts zu erkennen. Durch die Auswahl der Wellenlänge soll das Gerät zur Messung von Komponenten wie Glukose, Erkennung des Feuchtigkeitsgehalts und Messung verschiedener Harze und Gase verwendet werden können. Überdies kann es als fotoelektrischer Allzwecksensor oder Näherungssensor eingesetzt werden.

Der Beginn der Massenproduktion des SWIR-Reflexionssensors der „KPR-Serie“ ist für den 31. August 2023 geplant.

Klicken Sie hier für Produkteinzelheiten:

Typ KPR-DS6  https://www.kyosemi.co.jp/en/products/category/reflectivesensor/kpr-swir-dualwavelength-reflectivesensor/

Typ KPR-S6  https://www.kyosemi.co.jp/en/products/category/reflectivesensor/kpr-swir-singlewavelength-reflectivesensor/

*1 SWIR: Short-Wavelength InfraRed (kurzwelliges Infrarot), definiert als infrarotes Licht im Wellenlängenbereich von 900 bis 1700nm

*2 InGaAsP: Indiumgalliumarsenid-Phosphor; eine Art von Halbleiter

*3 InGaAs: Indiumgalliumarsenid; eine Art von Halbleiter

Über Kyoto Semiconductor

Kyoto Semiconductor wurde 1980 in Kyoto als spezialisierter Hersteller von optischen Halbleitern gegründet. Bei der Herstellung von hochleistungsfähigen, hochpräzisen Halbleitern für die optische Kommunikation und Sensoren in unseren eigenen Anlagen in Japan verwenden wir ein integriertes Front-End-Back-End-Fertigungssystem basierend auf einer einzigartigen Gehäusetechnologie und liefern diese Produkte an Kunden in der ganzen Welt. Kyoto Semiconductor ist führend bei optischen Gerätelösungen, die mit Weltklasse-Technologie in japanischer Qualität hergestellt werden.

Firmen-HP https://www.kyosemi.co.jp/en/

*Produktnamen, Firmennamen und Organisationsnamen, die in dieser Pressemitteilung erwähnt werden, sind Marken oder eingetragene Marken der jeweiligen Unternehmen.

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