Press release

Toshiba erweitert Kapazität für Power-Halbleiterproduktion mit 300 mm-Wafer-Anlage

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Präsentiert von Businesswire

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba”) gab heute sein Vorhaben bekannt, in seiner zentralen, spezifischen Halbleiterproduktionsbasis eine neue Fertigungsanlage für 300-Milimeter-Wafer zur Unterstützung von Halbleitern aufzubauen. Die Anlage soll für Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa entstehen. Der Bau wird in zwei Phasen erfolgen, so dass das Investitionstempo im Hinblick auf die Markttrends optimiert werden kann. Die erste Phase der Produktion soll im Geschäftsjahr 2024 beginnen. Bei vollständiger Auslastung der Kapazität in Phase 1 wird die Halbleiterproduktion von Toshiba das 2,5 -Fache des Geschäftsjahrs 2021 erreichen[1].

Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20220203005433/de/

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Toshiba: Artist’s impression of the new 300-milimeter wafer fabrication facility, Kaga Toshiba Electronics (the building on the right). (Graphic: Business Wire)

Einrichtungen zur Energieerzeugung sind für jede elektronische Ausrüstung und zum Erreichen einer CO2-neutralen Gesellschaft unabdingbare Bestandteile, um den Stromverbrauch zu verwalten und zu reduzieren. Die aktuelle Nachfrage nimmt im Zuge der Elektrifizierung von Fahrzeugen und der Automation industrieller Ausrüstung zu. Dabei entsteht eine sehr hohe Nachfrage nach Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (metal oxide semiconductor field effect transistors, MOSFETs), Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IBGTs)und sonstigen Bestandteilen, die unter Niederspannung arbeiten. Bis heute hat Toshiba diesem Nachfragewachstum Rechnung getragen, indem es die Produktionskapazität auf 200-Millimeter-Linien erhöht und den Produktionsstart auf 300-Millimeter-Produktionslinien von der ersten Hälfte des Geschäftsjahres 2023[2] bis zur zweiten Hälfte des Geschäftsjahres 2022 beschleunigt hat. Entscheidungen in Bezug auf die Gesamtkapazität und die Maschineninvestitionen, den Produktionsstart, den Produktionsumfang und den Fertigungsplan in der neuen Produktionsanlage werden die Tendenzen am Markt widerspiegeln.

Die neue Fabrik wird über eine erdbebensichere Baustruktur, fortschrittliche BCP-Systeme einschließlich dualer Leitungen für die Stromversorgung und die neueste energiesparende Fertigungsausrüstung zur Entlastung der Umwelt verfügen. Das Unternehmen ist weiterhin bestrebt, das „RE100“-Ziel einer 100%igen Abdeckung mit erneuerbaren Energien zu erreichen. Die Produktqualität und -effizienz wird mittels Einführung künstlicher Intelligenz und automatischer Wafer-Transportsysteme verbessert.

Im Weiteren wird Toshiba sein Halbleiter-Energieversorgungsgeschäft ausbauen und seine Wettbewerbsfähigkeit durch zeitnahe Investitionen sowie Forschung und Entwicklung fördern, wodurch das Unternehmen auf die rasch wachsende Nachfrage reagieren und zu einer energiearmen Gesellschaft und CO2-Neutralität beitragen kann.

Hinweise:

[1] Gesamtkapazität der 200- und 300-Millimeter-Wafer-Fertigung (Äquivalent zu 200-Milimeter)

[2] Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation gibt großzügige Investitionen in Energiegeräte bekannt

– Vorbereitende Maßnahmen für den Baubeginn einer Produktionsanlage für 300-Millimeter-Wafer – (10. März 2021)

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2021/03/corporate-20210310-1.html

Plan

Baubeginn: Frühjahr 2023

Bauarbeiten beendet: Frühjahr 2024

Produktionsbeginn: innerhalb des Geschäftsjahres 2024

Kaga Toshiba Electronics Corporation – Überblick

Ort: 1-1, Iwauchi-cho, Nomi-shi, Präfektur Ishikawa, Japan

Eröffnung: Dezember 1984

President und Representative Director: Hideo Tokunaga

Mitarbeiter: Etwa 1.000 (Stand: 30. September 2021)

Hauptprodukte: unterschiedliche Halbleiterprodukte (Power-Halbleiter, Kleinsignalgeräte und optoelektronische Geräte)

* Namen von Unternehmen, Produkten und Dienstleistungen, die hierin erwähnt werden, können Marken ihrer jeweiligen Unternehmen sein.

* Die Informationen in diesem Dokument, einschließlich Produktpreise und -spezifikationen, Inhalt der Dienstleistungen und Kontaktinformationen, sind zum Zeitpunkt der Ankündigung aktuell, können jedoch ohne vorherige Ankündigung geändert werden.

Über Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ein führender Lieferant von fortschrittlichen Halbleiter- und Speicherlösungen, kann auf mehr als ein halbes Jahrhundert Erfahrung und Innovation zurückblicken, um Kunden und Geschäftspartnern erstklassige diskrete Halbleiter, System-LSIs und Festplattenprodukte anzubieten.

Die 22.000 Mitarbeiter weltweit teilen die Entschlossenheit, den Wert der Produkte zu maximieren und die enge Zusammenarbeit mit den Kunden bei der gemeinsamen Schaffung von Werten und neuen Märkten zu fördern. Mit einem Jahresumsatz von mehr als 710 Milliarden Yen (6,5 Milliarden USD) sieht die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation dem Aufbau einer besseren Zukunft für alle Menschen entgegen.

Weitere Informationen finden Sie unter https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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